描述:
- 中芯国际将在 2025 年完成其 5nm 芯片开发。
- 在相同的制造工艺下,中芯国际的 5nm 晶圆将比台积电的 5nm 晶圆贵 50%,据说良率仅为 33%。
点评:
① 中芯国际的5nm(即“N+2")工艺采用多重曝光技术路线,使用DUV进行生产。根据群智咨询(Sigmaintell)调研,中芯国际N+1(7nm)产能到24Q4约14K/月,N+2产能到24Q4约2K/月,仍未达到量产水平。
② 中芯国际5nm工艺的良率在25Q1约34%,预计到25Q4可提升到40%以上,但和台积电相比,良率差距仍然巨大,因此在Wafer成本上差距的确接近50%。
③ 尽管承受美国制裁,中芯国际设备获取困难,但在2024年仍设法购入了3台ASML 2050i光刻机,并且2025年将最多可能购入15台1980i以上级别的光刻机。预计到25Q4,中芯国际7nm产能最多将可能达到35-37K/月,5nm产能最多可能达到7-9K/月。