OVT全新开发下一代8M 智能辅助驾驶芯片,预计2026年Q1量产

发布时间: 2025/05/15 关注度: 270

点评:

① 全新8M ADAS sensor已经在开发中,预计2025年Q1量产,新产品相比OX08D10,同样采用双层Stack工艺,支持DCG+Lofic以及通过Lofic实现的Led闪烁抑制功能。Low Conversion Gain的增益范围将被扩大,从而提高单帧HDR的动态范围,但整体DR范围不变,仍维持140dB。

② 新产品将支持always on mode,并且具备motion detection功能,sensor自带一定的数据处理功能。常态下sensor处于低功耗AO模式,当有物体靠近时,sensor会传达信息给SOC,再开启域控,从而做到低功耗的哨兵模式。(现阶段哨兵模式开启时,整体域控处于常开状态,功耗较高)。因此下一代新产品或将会升级到28nm工艺,从而更好的控制AO模式下的功耗表现,同时数据处理能力的增加也需要更先进的制程工艺来控制整体die的尺寸。

③ 由于哨兵模式的功耗需求较大,未来系统升级的主要方向就是sensor支持AO,增加数据处理判断功能,适时调动域控开启,从而降低整体系统功耗。因此sensor制程工艺升级是相对明确的发展方向,控制功耗的同时可以设计更多的产品功能。
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