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事件：

根据日本JDI官网显示，日本显示株式会社(JDI)于2023年4月7日与全球第三大显示器制造商惠科股份有限公司(HKC)签署了一份谅解备忘录(MOU)，以建立战略联盟。作为全球战略合作伙伴，JDI和HKC将在下一代OLED技术、产线、全球创新和产业化中心以及高端车载显示器业务方面展开合作。

影响：
1.  目前JDI仍然面临较大的财务问题，通过此次合作有望解决部分资金及后续市场拓展压力。根据JDI财务报告显示，2023年前三季度净利润仍然亏损174亿日元。

2.  HKC作为中大尺寸的重要面板商，在LCD方面有很好的技术布局。随着长期中大尺寸OLED技术趋势的明朗，HKC也期望能在OLED方面积极布局，而JDI在OLED方面拥有(eLEAP / HMO等)多项优势技术储备，对于HKC长期发展OLED技术起到积极互补作用。

综述来看，虽然此次JDI与HKC的合作在短期内无法产生直接收益，但若合作能够顺利推进，JDI可借此获得资金注入，缓解经营压力；JDI的技术支持也将成为HKC进攻中高端市场战略布局中的重要一环。群智咨询(Sigmaintell)认为，此项合作短期来看，在Oxide LCD技术合作方面，将可助力HKC的tablet、notebook以及monitor产品线技术能力提升，丰富其产品组合，扩大客户基础和提升竞争力；中长期来看，在OLED方面，当前全球特别是中国大陆LCD产能投资已进入尾声，HKC需要提升规模则意味着要转变产能扩充方向，其在郑州规划有一条G8.6代 AMOLED产线（拟投资600亿），如JDI的eLEAP技术可顺利量产，或将为HKC在2025年之后布局AMOLED产能增加更多可能性。最终，双方的合作将为全球高规格显示面板领域以及全球面板产业的竞争格局变化带来更多想象空间。

通过双方的积极接洽，如果合作顺利将在未来形成双赢局面。但短期来看，在公司团队合作的文化融合、实际资金的筹集方面，双方的合作仍面临不小挑战。

延申阅读：

2022年5月，JDI宣布开发出次世代OLED技术eLEAP。eLEAP是世界上第一个使用无掩模沉积与光刻的OLED技术，可以显著提高显示亮度和寿命。JDI于2022年8月向客户交付了第一批eLEAP样品，并计划于2024年开始批量生产。

2022年3月，JDI还宣布开发了HMO(高迁移率氧化物)，以及全球首个部署在G6生产线上的HMO背板技术。HMO的场效应迁移率是传统氧化物半导体薄膜晶体管(OS-TFT)的2 - 4倍，JDI正致力于迅速开始量产。

 

eLEAP技术：无掩模沉积与光刻的OLED技术

与传统产品相比，在eLEAP技术支持下的显示面板具有特殊的发光结构，且发光区域和峰值（Peak）辉度扩大了两倍、寿命延长了三倍。如果采用与以往相同的电流密度，峰值辉度将达到以往的两倍，亮度极高。相反，同样辉度条件下，由于可以降低电流，因此对像素施加的负荷会变低，从而使寿命达到以往的三倍。这是因为把开口率从原来的28%提高到了60%。

由于采用的是光刻技术，因此理论上可以使用各种大尺寸玻璃基板来生产。同时，由于可以无限缩小像素间的尺寸，因此eLEAP技术可轻松实现高精细化(据说可以实现2000ppi)，而现有OLED技术则很难实现。

另一方面，由于新技术不需要“FMM”，不仅大幅度提高了生产效率，还可以以良好的条件形成像素，因此有助于提高产品寿命。由于省去了掩膜版（Mask）清洗等工艺制程，也有望降低环境负荷。

因而，eLEAP技术最大的亮点之一是对环境友好。该技术既不需要采用有机材料、也不需要清洗。

HMO：高迁移率氧化物技术

高迁移率氧化物半导体 (HMO，High Mobility Oxide)技术，可生成的场效应迁移率，是传统 技术2 倍以上。超高迁移率氧化物半导体 (UHMO，Ultra High Mobility Oxide)技术的迁移率是传统技术4 倍以上。UHMO在JDI G6量产线上的场效应迁移率为52cm2/Vs，氧化物半导体TFT在量产生产线上实现了非常高速的特性。该技术已经可实现与 LTPS 相接近水平的导通电流，同时保持低截止漏电流。虽然传统的高迁移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技术，这将玻璃基板尺寸限制在 G6，但该技术可用于 G8 或更大的生产线。

根据eLEAP目前所披露的技术特点，无掩膜+光刻OLED相较传统技术OLED，可以实现更大的开口率，意味着eLEAP技术可应用在生产低功耗、大尺寸、高规格的OLED产品，结合HMO背板技术，高迁移率背板技术或将提高OLED产品分辨率&刷新率等显示指标。对于目前OLED赛道面板供应商来说，此项技术将或突破FMM OLED G6产品线的限制同时也解决打印式OLED 产品高功耗的弱点。